砷化鎵（GaAs）

砷化鎵（GaAs）

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產品詳情

Type/Dopant	Semi-Insulated	P-Type/Zn	N-Type/Si	N-Type/Si
Application	Micro Eletronic	LED		Laser Diode
Growth Method	VGF
Diameter	2", 3", 4", 6"
Orientation(100)±0.5°	(100)±0.5°
Thickness	350-625um±25um
OF/IF	US EJ or Notch
Carrier Concentration	-	(0.5-5)*1019	(0.4-4)*1018	(0.4-0.25)*1018
Resistivity (ohm-cm)	>107	(1.2-9.9)*10-3	(1.2-9.9)*10-3	(1.2-9.9)*10-3
Mobility (cm2/V.S.)	>4000	50-120	>1000	>1500
Etch Pitch Density (/cm2)	<5000	<5000	<5000	<500
TTV [P/P] (μm)	<5
TTV [P/E] (μm)	<10
Warp (μm)	<10
Surface Finished	P/P, P/E, E/E
Note:	Other Specifications maybe available upon request

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