絕緣片（SOI）

SOI材料的制備方法有多種，過去經常采用的有離子束、電子束或激光區(qū)熔再結晶(ZMR)，外延橫向生長法(ELO)等，這些方法各有特色，但對于制造商用SOI晶片來說，其生產能力和成本因素略顯不足。目前，注氧隔離法(SIMOX)和硅片鍵合法是制造低成本商用SOI晶片的兩種主要方法，并在國際上形成了兩大生產流派。采用這兩種方法都已能制造Φ200mm SOI晶片，并且有望滿足0.25μm/0.18μm工藝線的質量要求，它們面臨的主要挑戰(zhàn)是如何進一步提高產量、降低成本，即以IC制造商可接受的價格規(guī)模生產出質量符合要求的SOI晶片以滿足IC規(guī)模生產的要求。