藍(lán)寶石外延片（SOS）

藍(lán)寶石外延片（SOS）
產(chǎn)品詳情


Parameters range for Silicon on Sapphire (SOS) Epi Wafers
Wafer diameter
76 mm, 100 mm, 150 mm
Orientation(1012) ± 1o (R-plane)
Substrate dopant-
Epi-layer thickness (μm)0.3 – 2.0
Epi-layer dopantPhosphorous, Boron
Epi-layer resistivity (Ohm.cm)2.5-30 Ohm.cm
n-typeaccording to spec.
p-typeaccording to spec.


在藍(lán)寶石片上外延生長(zhǎng)一層硅薄膜以制作半導(dǎo)體集成電路的技術(shù)，簡(jiǎn)稱 SOS。這種結(jié)構(gòu)能提供理想的隔離，并減小PN結(jié)底部的寄生電容，故適合于制作高速大規(guī)模集成電路，實(shí)現(xiàn)高速和低功耗。
供應(yīng)產(chǎn)品
區(qū)熔硅片
化合物半導(dǎo)體
外延片
氧化片
單晶硅棒
直拉硅片
聯(lián) 系 我 們
                   地址：廣東省深圳市龍崗區(qū)平湖街道平安大道1號(hào)華南城12棟610
郵箱: sales@weisswafer.com
手機(jī):+86-13631407937