磷化銦（InP）

磷化銦（InP）
產(chǎn)品詳情
Type
Semi-InsulatedN-TypeP-TypeNP Type
Dopant   
FeS, SnZnUndoped
Growth Method
VGF
Diameter
?2", 3", 4", 6"
Orientation
(100)±0.5°
Thickness   (μm) 350-675um ±25um
OF/IF
US EJ
Carrier Concentration
-(0.8-8)*1018(0.8-8)*1018(1-10)*1015
Resistivity (ohm-cm)>0.5*107---
Mobility (cm2/V.S.)>10001000-250050-1003000-5000
Etch Pitch Density (/cm2)<5000<5000<500<500
TTV [P/P] (μm)<10
TTV [P/E] (μm)<15
Warp (μm)<15
Surface Finished
P/P, P/E, E/E
供應(yīng)產(chǎn)品
區(qū)熔硅片
化合物半導(dǎo)體
外延片
氧化片
單晶硅棒
直拉硅片
聯(lián) 系 我 們
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