| Czochralski
| Float Zone | Float Zone |
| Diameter | 100-150 mm | 50-150 mm* | 100-150 mm*
|
| Crystal orientation | <100> <111> | <100> <111> | <100> <111> |
| Orientation accuracy | <0.5° | <0.5° | <0.5° |
| Type and dopant | Undoped, n-type, p-type | Undoped, n-type,p-type | Undoped, n-type,p-type |
| Dopant | As, B, P, and Sb | P, B | P, B |
| Bulk resistivity | 0.001-601-30,000 | 1-30,000 | 1-30,000 |
| Bulk lifetime | >20 μs | >1,000 μs | >1,000 μs |
| Wafer thickness | 200-1,500 μm | 200-1,500 μm | 200-1,500 μm |
| Wafer thickness tolerance | ±15 μm | ±15 μm | ±5 μm |
| TTV | <5 μm or <9 μm | <5 μm or <9 μm | <2.5 μm |
TIR
| <3 μm | <3 μm | <1 μm |
| Wafer surface finish | Single side polished, Double side polished
| Single side polished | Double side polished |
MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))最初大量用于汽車安全氣囊，而后以MEMS傳感器的形式被大量應(yīng)用在汽車的各個(gè)領(lǐng)域，隨著MEMS技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，以及應(yīng)用終端“輕、薄、短、小”的特點(diǎn)，對(duì)小體積高性能的MEMS產(chǎn)品需求增勢(shì)迅猛，消費(fèi)電子、醫(yī)療等領(lǐng)域也大量出現(xiàn)了MEMS產(chǎn)品的身影。
1）微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低微機(jī)電系統(tǒng)、慣性小、諧振頻率高、響應(yīng)時(shí)間短。
2）以硅為主要材料，機(jī)械電器性能優(yōu)良：硅的強(qiáng)度、硬度和楊氏模量與鐵相當(dāng)，密度類似鋁，熱傳導(dǎo)率接近鉬和鎢。
3）批量生產(chǎn)：用硅微加工工藝在一片硅片上可同時(shí)制造成百上千個(gè)微型機(jī)電裝置或完整的MEMS。批量生產(chǎn)可大大降低生產(chǎn)成本。
4）集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致動(dòng)方向的多個(gè)傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感器陣列、微執(zhí)行器陣列，甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩(wěn)定性很高的MEMS。
5）多學(xué)科交叉：MEMS涉及電子、機(jī)械、材料、制造、信息與自動(dòng)控制、物理、化學(xué)和生物等多種學(xué)科，并集約了當(dāng)今科學(xué)技術(shù)發(fā)展的許多尖端成果。
